会员登录 - 用户注册 - 设为首页 - 加入收藏 - 网站地图 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货!

宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货

时间:2025-05-03 08:23:40 来源:浮瓜沉李网 作者:乡裕美 阅读:302次
10月31日消息,宏微科技披露投资者关系活动记录表显示,公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展,包括1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证;自主研发的SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的可靠性验证和系统级验证,部分产品已形成小批量出货。在模块产品方面,车规级1200V SiC自研模块正在研制中,亦已通过可靠性验证。同时,公司表示会坚决拥护国家利好政策,结合战略规划和经营发展需要,用好回购、增持等资本运作工具提升公司投资价值。关于回购或增持计划,公司将按照法律法规要求及时履行信息披露义务。另外,公司在2024年第三季度,工控领域、新能源发电领域和新能源汽车领域的营收占比分别约为33%、26%和40%,整体营收结构相对稳定。

(责任编辑:辉星)

推荐内容
  • 10月31日富国价值增长混合A净值下跌1.12%,近1个月累计下跌3.18%
  • 10月31日中欧明睿新起点混合净值增长0.40%,近3个月累计上涨14.78%
  • 如何设置外币交易账户?
  • 预约单成交率多久更新一次?求解重置周期!
  • 雷达币新闻中心开放-公告雷达币新闻中心的开放信息
  • 10月31日长江智能制造混合发起式C净值增长0.13%,近3个月累计上涨14.86%